服务能力

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研发团队

由原霍尼韦尔公司霍尔元件设计师带队,目前研发团队约20人,丰富的设计经验,使Bipolar工艺下的霍尔开关能达到高灵敏度并且一致性非常好,抗静电电压达到惊人的12KV。


代表产品:HAL2475(国内首款水平感应霍尔效应开关)

服务保障



供应链介绍

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BCD工艺

        BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技术是一种单片集成工艺技术,能够在同一芯片上制作Bipolar、CMOS和DMOS器件。

        BCD工艺把Bipolar器件、CMOS器件、DOMS器件同时制作在同一芯片上,综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点,使其互相取长补短,发挥各自优点;同时DMOS可以在开关模式下工作,功耗极低。不需要昂贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。低功耗是BCD工艺的一个主要优点之一。BCD工艺可大幅阡低功耗损,提高系统性能,节省电路的封装费用,并具有更好的可靠性。

Bipolar工艺

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Bicmos工艺

     采用Bipolar工艺可以制造出高速、高驱动能力的集成电路,如电源管理芯片、电动机驱动芯片等,但是Bipolar集成电路的功耗和集成度无法满足系统集成的要求,也不能满足无刷电机驱动、LED驱动控制等芯片的要求。CMOS工艺能制造低功耗、高度集成和抗干扰能力强的CMOS集成电路但是速度低、驱动性能差是其最大的弱点,只能满足数字集成电路和小功率模拟集成电路的需要。BiCMOS工艺是将Bipolar的器件和CMOS器件同时制造在同一芯片上,综合了Bipolar器件的高跨导、强驱动能力和CMOS器件的低功耗、高度集成的优点,为高速、高集成度、高性能及强驱动的集成电路发展开辟了一条新的道路。

目前,BiCMOS主要用于无刷电机驱动、RF电路、LED控制驱动、IGBT控制驱动、IGBT控制驱动等芯片设计,对于高度集成的片上系统(SOC)芯片设计,CMOS工艺还是最理想的选择。按照基本工艺基础,BiCMOS工敢又可以分为以CMOS工艺和以Bipolar工艺为基础的BiCMOS工艺,用于实现不同应用的集成电路。以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺对保证MOS器件的性能比较有利,而以Bipolar工艺为基础的BiCMOS工艺对保证Bipolar器件的性能比较有利。


CMOS工艺

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